Une jonction tunnel magnétique exploite des variations de résistance électrique sous l’effet d’un champ magnétique. Des chercheurs de l’Inac ont montré que l’insertion d’une couche « tampon » entre deux structures cristallines différentes peut augmenter de 75% la magnétorésistance d’une jonction à aimantation perpendiculaire, ce qui offre la perspective d’une réduction significative de la consommation électrique de composants utilisant ce type de jonction.
UNE COUCHE « TAMPON » QUI CHANGE TOUT !
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